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Équipe MATISEN: Matériaux pour les technologies de l’information, les capteurs et la conversion d’énergie.

Thèses en cours et soutenues

De Équipe MATISEN: Matériaux pour les technologies de l’information, les capteurs et la conversion d’énergie.
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Année de début et de fin Doctorant Titre de la thèse Directeurs/encadrants Laboratoires
sept.2015- Allessandro Quatropani Synthèse de matériaux à base d'oxyde pour la conversion photovoltaïque A. Slaoui / T. Fix ICUBE
Mai. 2015- Yves Salinesi Dévelopement de cellules intégrées (i-Cell) basées sur des couches minces de silicium cristallin transférées sur substrats de silicium fritté A. Slaoui / S'Tile / ICUBE
2013-Mars 2016 Karima Bouras Films d’oxyde transparents conducteurs et dopés aux terre rare pour la conversion photonique» A. Slaoui / G. Ferblantier / T. Fix ICUBE
2013-2016 Olzhas Ibraikulov Donor-Acceptor bulk heterojunction solar cells based on low band-gap polymers and soluble fullerene derivatives dir: Thomas Heiser // enc: Patrick Lévêque ICUBE
2013… Thomas Regrettier Optically addressable organic light modulators using a donor/acceptor bulk heterojunction as photosensitive layer dir. Thomas Heiser ICUBE
2014… Tianyan Han Solution-processed bulk heterojunction devices based on bodipy and triazatruxene derivatives. dir: Thomas Heiser // enc: Patrick Lévêque ICUBE
Nov. 2012 - En cours Marie DEVITA Mesure et gestion des contaminants métalliques nobles dans l'industrie microélectronique avancée D. Mathiot, N. Drogue et H. Fontaine ICube CIFRE STMicroelectronics, collaboration CEA-LETI
Oct. 2014 - En cours Abdellatif CHELOUCHE Étude des propriétés opto-électroniques et de transport de nanocristaux semi-conducteurs dopés en vue de leur intégration dans des composants de la filière silicium D. Mathiot, G. Ferblantier et D. Muller ICube
Oct. 2014 - En cours Thomas GRENOUILLOUX Etude du comportement physico-chimique des dopants dans les semiconducteurs II-VI pour la détection infrarouge D. Mathiot, N. Péré-Laperne et A. Ferron ICube CIFRE Sofradir, collaboration CEA-LETI
Nov. 2014 - En cours Florian LE GOFF Réalisation de photodiodes SWIR en InGaAs et InP de technologie « loophole » par diffusion MOVPD D. Mathiot et J.L. Reverchon ICube CIFRE Thales 3-5 Lab.
Oct. 2011 - Févr. 2015 Rim KHELIFI Synthèse par faisceaux d'ions de nanocristaux semi-conducteurs fonctionnels en technologie silicium D. Mathiot et D. Muller InESS (ICube)
Juin 2011 - Déc. 2014 Julien LAURENT Amélioration du rendement matière lors de la cristallisation de lingots de silicium photovoltaïque multi-cristallin D. Mathiot et A. Jouini InESS (ICube) CEA-LITEN
Oct. 2011 - Déc. 2014 Larissa DJOMENI Etude de l’intégration de vias traversants réalisés par MOCVD en vue de l’empilement en 3D de composants microélectroniques D.Mathiot, T. Mourier et S. Minoret InESS (ICube) CEA-LETI
2010-2014 Peter Lienerth Elaboration and characterization of field-effect transistors based on organic molecular wires for chemical sensing applications dir: Thomas Heiser // enc: Patrick Lévêque ICUBE
2009-2013 Sadiara Fall Etude du transport de charges dans les polymères semi-conducteurs pour des applications photovoltaïques dir: Thomas Heiser // enc: Patrick Lévêque InESS
2010-. Octo. 2013 Fabien Erhardt « synthèse de nanocristaux de silicium dans des matrices d’oxynitrure et application au photovoltaïque » A. Slaoui / G. Ferblantier ICUBE
2009-sept.2012 B. Paviet-Salomon « Emetteurs Selectifs assistés par laser, Application au photovoltaïque silicium » A. Slaoui CEA/InESS
2009-. Sept.2012 S. Parola, Elaboration et caractérisations de naoncristaux de silicium et germanium par voie physico-chimique pour le photovoltaïque » A. Slaoui / CEA/InESS
2007- 2010 Djamel Madi « Passivation du silicium cristallin en couche mince par hydrogénation et oxidation » Université de Tlemcen/InESS
Nov. 2008 - Mai 2012 Yana GURIMSKAYA Comportement de quelques impuretés métalliques dans le germanium : Une étude par les techniques capacitives DLTS-MCTS-Laplace DLTS A. Mesli et D. Mathiot InESS
2007- janv.2012 Zabardjad Said, « Elaboration et caractérisation de silicium cristallin en couche mince par irradiation laser et lampes halogènes » A. Slaoui / E. Fogarassy InESS
2008-2011 Véronique Gernigon Utilisation de copolymères à blocs dans les cellules solaires organiques : morphologie, transport de charge et conversion photovoltaïque dir: Thomas Heiser/Georges Hadziioannou// enc: Nicolas Leclerc/ Patrick Lévêque InESS/LIPHT
Oct. 2007 - Juin 2011 Martin ZLATANSKI Conception d'un opto-échantillonneur CMOS multilignes ultra-rapide intégrant un générateur de retard haute résolution (DLL) D. Mathiot et W. Uhring InESS
2007- Oct. 2010 F. Delachat « Nanoparticules de silicium pour la 3ème génération de cellules solaires » A. Slaoui / G. Ferblantier InESS
2007-2010 Laure Biniek Polymères semi-conducteurs à faible largeur de bande interdite : de la synthèse au dispositif photovoltaïque organique. dir: Thomas Heiser/Georges Hadziioannou// enc: Nicolas Leclerc/ Patrick Lévêque InESS/LIPHT
Déc. 2006 - Avril 2010 Alexis COLIN Étude des couplages radiatifs et thermiques et des modifications physico-chimiques engendrés par un recuit laser milliseconde sur la grille polysilicium de la technologie CMOS 45 nm D. Mathiot et E. Fogarassy "InESS CIFRE STMicroelectronics"
2006-Decembre. 2009 O. Tuzun « Silicium polycristallin de type N par cristallisation induite par métaux et champ électrique » A. Slaoui InESS
2005-2009 Rony Bechara Elaboration et caractérisation de cellules photovoltaïques à base de polymères semi-conducteurs Thomas Heiser/Georges Hadziioannou InESS/LIPHT
Oct. 2006 - Nov. 2009 Thomas CANNEAUX Étude de la diffusion des dopants usuels dans le germanium JP. Ponpon et D. Mathiot InESS
2007- Decembre 2008 H. Charifi, « Propriétés sustructurales , électriques, et de passivation du nitrure de silicium : Application aux cellules photovltaïques au silicium » A. Slaoui / J.C. Muller InESS
2005-2008 Fanny Richard Conception, synthèse et caractérisation de copolymères à blocs « bâtonnet-pelote » en vue d’applications photovoltaïques : De la macromolécule au dispositif Georges Hadziioannou/ Thomas Heiser InESS/LIPHT
Déc. 2004 - Avril 2008 Nathalie CAGNAT Implantation ionique et jonctions ultra-fines : Caractérisation, ingénierie des défauts et application aux technologies 65 et 45 nm D. Mathiot "InESS CIFRE STMicroelectronics"
Oct. 2002 - Juil. 2007 Frédéric MOREL Conception, réalisation et caractérisation d'un imageur en technologie CMOS standard pour l'observation en mode répétitif de phénomènes lumineux brefs de faible puissance D. Mathiot et W. Uhring PHASE (InESS)
2003- Novembre 2006 S. Duguay « Stockage de charges dans les nano-cristaux de silicium ou de germanium dans des matrices de silice » A. Slaoui / JJ/ Grob InESS
2002- Décembre 2005 E. Pihan «  Etude des mécanismes de cristallisation induites par aluminium du silicium amorphe : photopiles en couches minces » A. Slaoui PHASE
2002- Novembre 2005; A. Zerga, « Caractérisation, Modélisation et Simulation des Cellules Photovoltaïques à base de Silicium Polycristallin en Couche Mince Déposé par Procédé RT-CVD» ; A. Slaoui / A. mahfoud Thèse Université de Tlemcen/PHASE
2000-2003 Assia Belayachi Contribution à l’étude du cuivre dans le silicium et d’une technique de caractérisation associée Thomas HEISER PHASE
Oct. 1999 - Mars 2003 Christian DUTTO Formation et caractérisation de jonctions P/N dans SiC par implantation ionique et recuit laser D. Mathiot et E. Fogarassy "PHASE CIFRE STMicroelectronics"
Oct. 1999 - Avril 2003 Frédéric BOUCARD Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour la réalisation de jonctions fines D. Mathiot et P. Rivallain "PHASE CIFRE Silvaco, collaboration CEA-LETI"
Oct. 2000 - Déc. 2003 Frédéric CAYREL Mécanisme de formation des cavités par implantation d'hélium. Rôles des dopants et des impuretés résiduelles D. Mathiot et R. Jérisian "PHASE LMP Tours"
Octt. 2001 - Déc. 2003 Fabien PREGALDINY Étude et modélisation du comportement dynamique des transistors MOS fortement sub-microniques D. Mathiot et C. Lallement PHASE
1997-Janvier 2000 S. Bourdais Etude du dépôt et des propriétés physiques du silicium polycristallin obtenu par le procédé RTCVD sur substrats de mullites : Application aux cellules photovoltaïques en couches minces A. Slaoui PHASE
Oct.1997 - Sept.2000 Christophe ORTIZ Contribution à l'étude des phénomènes de diffusion de l'aluminium dans le silicium. Application à la réalisation de jonctions profondes D. Mathiot et R. Jérisian "PHASE LMP Tours"